探索硅基工艺性能极限(fr=300GHz) ，在300 GHz附近设计了-四路合成PA;
300 GHz频段晶体管本征增益低，共包含三级驱动放大器(DA1,DA2,DA3)+一级功率放大器(PA);
输出4到1功率合成网络与中间级阻抗匹配网络采用240GHz四路合成功放中类似的结构。LH
编辑：黄飞
探索硅基工艺性能极限(fr=300GHz) ，在300 GHz附近设计了-四路合成PA;
300 GHz频段晶体管本征增益低，共包含三级驱动放大器(DA1,DA2,DA3)+一级功率放大器(PA);
输出4到1功率合成网络与中间级阻抗匹配网络采用240GHz四路合成功放中类似的结构。LH
编辑：黄飞