什么是高频小功率管,高频小功率管型号大全
高频晶体管（指特征频率大于3MHZ的晶体管）有两大类型:一类是作小信号放大的高频小功率管,对它们的主要要求是高增益和低噪声：另一类为高频功率管,其在高频工作时允许有较大管耗，且输出功率较大。
双极型高频小功率管又可分成锗PNP型高频小功率三极管,硅NPN普通高频小功率晶体管,硅PNP普通高频小功率晶体管,以及片式高频小功率晶体管.MOS型高频小功率管又可分成PMOS高频小功率管和NMOS高频小功率管以及片式PMOS和NMOS高频小功率管。
常用的国产高频小功率晶体管有3AG1～3AG4、3AG11～3AG14、3CG3、3CG14、3CG21、3CG9012、3CG9015、3DG6、3DG8、3DG12、3DG130、3DG9011、3DG9013、3DG9014、3DG9043等型号。
常用的进口高频小功率晶体管有2N5551、2N5401、BC148、BC158、BC328、BC548、BC558、9011～9015、S9011～S9015、TEC9011～TEC9015、2SA1015、2SC1815、2SA562、2SC1959、2SA673、2SC1213等型号。
一般小信号处理（例如图像中放、伴音中放、缓冲放大等）电路中使用的高频晶体管，可以选用高频小功率晶体管，例如3DG6、3DG8、3CG21、2SA1015、2SA673、2SA733、S9011、S9012、S9014、S9015、2N5551、2N5401、BC337、BC338、BC548、BC558等型号。可以根据电路的要求选择晶体管的材料与极性，还要考虑被选晶体管的耗散功率、集电极最大电流、最大反向电压、电流放大系数等参数及外形尺寸等是否符合应用电路的要求。
表173AX81型PNP型锗低频小功率三极管的参数
型号
3AX81A
3AX81B
测试条件
极限参数
PCM(mW)
200
200
ICM(mA)
200
200
TjM(oC)
75
75
BVCBO(V)
-20
-30
IC＝4mA
BVCEO(V)
-10
-15
IC＝4mA
BVEBO(V)
-7
-10
IE＝4mA
直流参数
ICBO(mA)
￡30
￡15
VCB＝-6V
ICEO(mA)
￡1000
￡700
VCE＝-6V
IEBO(mA)
￡30
￡15
VEB＝-6V
VBES(V)
￡0.6
￡0.6
VCE＝-1VIC＝175mA
VCES(V)
￡0.65
￡0.65
VCE＝VBEVCB＝0IC＝200mA
hFE
40~270
40~270
VCE＝-1VIC＝175mA
交流
参数
fb(kHz)
36
38
VCB＝-6VIE＝10mA
hFE色标分档
(黄)40~55 (绿)55~80 (蓝)80~120 (紫)120~180 (灰)180~270 (白)270~400
管脚
B
EC
表183BX31型NPN型锗低频小功率三极管的参数